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中國GaN半導(dǎo)體巨頭專利侵權(quán)案ITC作出終裁
- 美國國際貿(mào)易委員會（ITC）全體委員會維持了其于2025年12月作出的初步裁定，確認(rèn)英諾賽科（Innoscience）侵犯了英飛凌的一項(xiàng)氮化鎵（GaN）技術(shù)專利，并下令對英諾賽科實(shí)施進(jìn)口和銷售禁令。不過，ITC委員會的最終裁決及其頒布的相關(guān)禁令，仍需經(jīng)過為期60天的美國總統(tǒng)審查期后才能生效。而作為對終裁的回應(yīng)，英諾賽科宣布，ITC在第337?TA?1414號調(diào)查中作出最終裁定，確認(rèn)英諾賽科當(dāng)前的GaN功率器件產(chǎn)品未侵犯英飛凌的相關(guān)專利，并可不受限制地繼續(xù)在美國進(jìn)口和銷售。原文如下：ITC全體委員一致同意英
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800V AI算力時(shí)代，GaN從“備選”變“剛需”？
- AI算力正以每3.4個(gè)月翻一番的速度狂飆，全球數(shù)據(jù)中心用電量持續(xù)攀升，預(yù)計(jì)到2030年將占全球耗電量的7%，電力已成為制約AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心瓶頸。單機(jī)柜功率從傳統(tǒng)的5-8kW躍升至數(shù)百kW，GPU功耗不斷突破上限，供電鏈路的損耗、散熱壓力與空間占用，成為算力擴(kuò)張路上繞不開的難題。行業(yè)迫切需要一場供電架構(gòu)革命，去年5月，英偉達(dá)率先給出了答案——自2027年起推動機(jī)架電源從54V直流全面轉(zhuǎn)向800V高壓直流架構(gòu)，以支撐單機(jī)架功率超1MW的下一代超大規(guī)模AI算力部署。800V架構(gòu)的核心價(jià)值，是通過提升母線電壓大
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Vishay推出適用于GaN和SiC開關(guān)應(yīng)用EMI濾波的新型航天級共模扼流圈
- 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款新型航天級表面貼裝共模扼流圈---SGCM05339，適用于嚴(yán)苛航空航天應(yīng)用電磁干擾（EMI）濾波和噪聲抑制。 Vishay定制磁芯SGCM05339是GaN和SiC開關(guān)應(yīng)用的理想選擇，這類應(yīng)用的波形會出現(xiàn)銳邊，導(dǎo)致電磁輻射干擾。共模扼流圈還可用于低電流立式電源、分布式電源系統(tǒng)DC/DC轉(zhuǎn)換器，以及太陽能電池
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英特爾推出全球最薄氮化鎵（GaN）芯粒
- 4 月 9 日，英特爾代工服務(wù)（Intel Foundry Services）宣布重大技術(shù)突破，成功研發(fā)出全球最薄氮化鎵（GaN）芯粒。其硅襯底厚度僅19 微米，約為人類頭發(fā)絲直徑的 1/5。該芯?；?00 毫米（12 英寸）硅基氮化鎵晶圓制造，采用英特爾自研隱切減薄工藝，在實(shí)現(xiàn)極致超薄形態(tài)的同時(shí)，保持結(jié)構(gòu)完整性與性能穩(wěn)定性。更具突破性的是，團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)氮化鎵功率晶體管與硅基數(shù)字邏輯電路的單片集成。通過將復(fù)雜計(jì)算功能直接嵌入電源芯粒，無需額外輔助芯片，大幅簡化系統(tǒng)架構(gòu)并降低組件間能量損耗。性能測試結(jié)果顯
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意法半導(dǎo)體推出氮化鎵高速半橋柵極驅(qū)動器
- 意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布兩款全新高速半橋柵極驅(qū)動器，可將氮化鎵（GaN）的高效性、熱性能與小型化優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于各類電源及運(yùn)動控制領(lǐng)域。STDRIVEG212 與 STDRIVEG612 可向增強(qiáng)型氮化鎵高電子遷移率晶體管（eGaN HEMT）輸出精準(zhǔn)受控的 5V 柵極驅(qū)動信號，高端工作電壓分別最高支持 220V 與 600V。兩款驅(qū)動器集成度極高，在緊湊的 QFN 封裝內(nèi)集成了高端與低端 5V 線性穩(wěn)壓器（LDO）、高端自舉二極管，以及欠壓鎖定（UVLO）等保護(hù)功能。內(nèi)置的快速啟動穩(wěn)壓器可穩(wěn)定驅(qū)動器輸出級
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第三代半導(dǎo)體的戰(zhàn)略意義：SiC和GaN如何突破硅基芯片的戰(zhàn)場局限
- 很多人想不明白為何美國以軍事用途為由列舉出海量的半導(dǎo)體禁運(yùn)名單中，其中絕大部分并不是最先進(jìn)的處理器，而是很多看似工藝并不先進(jìn)的模擬類芯片。半導(dǎo)體作為現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其技術(shù)迭代直接推動國防裝備的性能躍升。從第一代硅（Si）半導(dǎo)體到第二代砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體，再到以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，每一次材料體系的革新，都為國防軍事裝備帶來革命性變化。與前兩代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具備高飽和電子遷移速率、高擊穿電壓、高熱導(dǎo)率、抗輻射等核心優(yōu)勢，完美適配高溫、高壓、高頻、大
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家用與AI數(shù)據(jù)中心供電全面升級
- 全球各類行業(yè)會議正聚焦電源設(shè)計(jì)面臨的功率密度挑戰(zhàn)。從得克薩斯州奧斯汀舉辦的APEC 展會、本周在舉辦的英飛凌 AI 日，到前不久在圣何塞舉辦的GTC 大會，半導(dǎo)體廠商紛紛推出新方案，縮小電源系統(tǒng)體積、提升通流能力。一、Power Integrations：GaN 賦能反激電源，功率上探 450WPower Integrations（PI）采用更高效的氮化鎵（GaN） 技術(shù)，升級其核心產(chǎn)品線TOPSwitch。這款經(jīng)典單端反激轉(zhuǎn)換器全球應(yīng)用廣泛，最新 GaN 版本將功率上限從250W 提升至 450W，可用
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三星加速布局第三類半導(dǎo)體，8寸GaN產(chǎn)線預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)
- 據(jù)韓媒Theelec援引業(yè)界消息，三星電子（Samsung Electronics）正加速切入第三代半導(dǎo)體市場，其8寸氮化鎵（GaN）晶圓代工產(chǎn)線已進(jìn)入量產(chǎn)前準(zhǔn)備階段，預(yù)計(jì)最快將于2026年第2季正式投產(chǎn)。這一進(jìn)展標(biāo)志著三星在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出重要一步。 三星方面對GaN晶圓代工產(chǎn)線的具體啟動時(shí)間和客戶進(jìn)展保持謹(jǐn)慎態(tài)度，僅回應(yīng)稱“無法確認(rèn)”。不過，據(jù)業(yè)界透露，三星自宣布進(jìn)軍功率半導(dǎo)體代工市場以來，已歷時(shí)3年，近期完成了量產(chǎn)技術(shù)與客戶布局。盡管初期客戶數(shù)量有限，市場預(yù)估GaN晶圓代工年?duì)I收規(guī)?？赡?/li>
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硅基氮化鎵（GaN-on-Si）HEMT 在 5G 毫米波頻段的優(yōu)勢
- 法國 SOITEC 公司與新加坡南洋理工大學(xué)的研究人員報(bào)道，適度微縮的硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作時(shí)，功率附加效率（PAE）突破 60%。該器件同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低至 1.1dB 的業(yè)界領(lǐng)先噪聲系數(shù)。研究人員表示：“這些結(jié)果表明，結(jié)合優(yōu)化的外延結(jié)構(gòu)與工藝，適度微縮即可帶來具備競爭力的技術(shù)方案?！毖芯繄F(tuán)隊(duì)認(rèn)為，這類3–6V 低壓射頻器件適用于 5G 高頻毫米波頻段（FR2，24.25–71.0GHz）的單片集成移動收發(fā)（T/R）模塊。5G 低頻段 FR1：410–
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羅姆加強(qiáng)GaN功率器件供應(yīng)能力
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，決定將自身擁有的GaN功率器件開發(fā)和制造技術(shù)，與合作伙伴臺積公司（TSMC）的工藝技術(shù)相融合，在集團(tuán)內(nèi)部建立一體化生產(chǎn)體系。通過獲得臺積公司的GaN技術(shù)授權(quán)，羅姆將進(jìn)一步增強(qiáng)相應(yīng)產(chǎn)品的供應(yīng)能力，從而滿足AI服務(wù)器和電動汽車等領(lǐng)域?qū)aN產(chǎn)品日益增長的需求。 GaN功率器件具有優(yōu)異的高電壓和高頻特性，有助于應(yīng)用產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高效率和更小體積，因此已被廣泛應(yīng)用于AC適配器等消費(fèi)電子產(chǎn)品。此外，其在AI服務(wù)器的電源單元及電動汽車（EV）的車載充電器等
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英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》：技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域氮化鎵高速增長
- ●? ?至2030年，氮化鎵（GaN）市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到30億美元，年復(fù)合增長率高達(dá)44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開關(guān)采用變革性的共漏極設(shè)計(jì)與雙柵極結(jié)構(gòu)●? ?GaN功率半導(dǎo)體拓展至AI、機(jī)器人、量子計(jì)算等新興市場氮化鎵（GaN）電源解決方案的普及正推動功率電子行業(yè)迎來一場重大變革。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》，深度解析GaN的技術(shù)現(xiàn)狀、應(yīng)用場景及未來前景，為行業(yè)提供重要參考。英
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臺積電向世界先進(jìn)與格芯授權(quán)GaN技術(shù)
- 在全球AI浪潮高漲與綠色能源轉(zhuǎn)型加速的雙重驅(qū)動下，氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)正步入關(guān)鍵的黃金增長期。根據(jù)TrendForce研究，全球GaN功率器件市場預(yù)計(jì)將從2024年的3.9億美元快速增長至2030年的35.1億美元，年復(fù)合增長率（CAGR）高達(dá)44%。在此高速擴(kuò)張背景下，領(lǐng)先晶圓代工廠的戰(zhàn)略調(diào)整正在重塑GaN產(chǎn)業(yè)鏈格局。盡管臺積電（TSMC）正逐步退出GaN代工服務(wù)，但已通過技術(shù)授權(quán)協(xié)議，將其深厚的技術(shù)積累轉(zhuǎn)移給合作伙伴——世界先進(jìn)（VIS）與格芯（GlobalFoundries, GF）。此舉不僅推動產(chǎn)
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小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應(yīng)用更多可能
- 在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。垂直架構(gòu)：功率技術(shù)新高度垂直 GaN 創(chuàng)新：vGaN 支持高電壓和高頻率運(yùn)行， 效率優(yōu)于硅芯片先進(jìn)制造工廠：GaN 研發(fā)工作在占地 66,000 平方英尺、 配備 GaN 生產(chǎn)專用工具的潔凈室設(shè)施中進(jìn)行專有 GaN 生長工藝：工程師借助安森
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在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)的注意事項(xiàng)
- 本文詳細(xì)討論了GaN技術(shù)，解釋了如何在開關(guān)模式電源中使用此類寬禁帶開關(guān)，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅(qū)動器和控制器的優(yōu)勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關(guān)在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術(shù)的未來。
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借助TOLL GaN突破太陽能系統(tǒng)的界限
- 太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢頭越來越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計(jì)該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)。GaN 不僅能提高太陽能系統(tǒng)的性能，也能提升整個(gè)系統(tǒng)的效率，此外，在保證縮小系統(tǒng)尺寸的同時(shí)，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個(gè)裸片區(qū)更優(yōu)的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復(fù)電荷等特性，顯著提升了
- 關(guān)鍵字： TOLL GaN 太陽能系統(tǒng) GaN 德州儀器
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